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记录 名称, 品牌, 型号 实时确认
4301 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · BSR15 实时确认>>
4302 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He SMBT2222A 实时确认>>
4303 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 127 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangskapazität: 1750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 127 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangskapazität: 1750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXGH30N120B3D1 实时确认>>
4304 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller RJH60A83RDPN-E0#T2 实时确认>>
4305 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Hers ZTX550 实时确认>>
4306 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · He ZTX758 实时确认>>
4307 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller: BD239BTU 实时确认>>
4308 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 135 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 135 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel KSD1616AYTA 实时确认>>
4309 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel FZT653TA 实时确认>>
4310 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 2N5210TFR 实时确认>>
4311 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-399 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-399 · Hersteller: BU2527DX 实时确认>>
4312 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): D-PAK · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): D-PAK · Hersteller: MJD3055TF 实时确认>>
4313 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 20 A · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller: O 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 20 A · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller: O MJ15003 实时确认>>
4314 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel BC849C,215 实时确认>>
4315 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Hersteller: DIODES Incorporated · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): DIn · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Hersteller: DIODES Incorporated · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): DIn · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO ZTX653 实时确认>>
4316 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Herste MAX2601ESA+ 实时确认>>
4317 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N28 实时确认>>
4318 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · H FMB100 实时确认>>
4319 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst FZT790ATA 实时确认>>
4320 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herst BCX69-16 实时确认>>
4321 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 380 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 380 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst BCW60D 实时确认>>
4322 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323-3 · BC808-25W 实时确认>>
4323 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 11 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5.5 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-399 · Herstelle 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 11 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5.5 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-399 · Herstelle BU2523AX 实时确认>>
4324 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX IXGH30N60C3 实时确认>>
4325 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 2000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 2000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): BSP61,115 实时确认>>
4326 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle RJH60F6DPQ-A0#T0 实时确认>>
4327 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel FZT948TA 实时确认>>
4328 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 35 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 35 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste BFR93A,215 实时确认>>
4329 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 35 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 35 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herst BF799 实时确认>>
4330 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXGH72N60A3 实时确认>>
4331 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst KSC2330OTA 实时确认>>
4332 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Herstel KSC2333YTU 实时确认>>
4333 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-3 · Herstel FSB649 实时确认>>
4334 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Her ZXTP5401GTA 实时确认>>
4335 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 4 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): D-PAK · Hersteller: Fa 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 4 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): D-PAK · Hersteller: Fa KSC5502DTM 实时确认>>
4336 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: KSC5338DTU 实时确认>>
4337 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers KSC2330YTA 实时确认>>
4338 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): D²PAK · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): D²PAK · Herstell KSB834WYTM 实时确认>>
4339 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: KSC5402DTTU 实时确认>>
4340 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her BC81816MTF 实时确认>>
4341 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 135 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 135 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst KSC1623YMTF 实时确认>>
4342 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Herst KSC3296YTU 实时确认>>
4343 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller: BD239ATU 实时确认>>
4344 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 12 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2.5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 12 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2.5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Herst KSC5502TU 实时确认>>
4345 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · He FMB3904 实时确认>>
4346 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her KSA733YTA 实时确认>>
4347 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO DRC3115G0L 实时确认>>
4348 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO DRC3114W0L 实时确认>>
4349 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO DRC2113Z0L 实时确认>>
4350 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO DRC3113Z0L 实时确认>>
4351 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- DRC2123E0L 实时确认>>
4352 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO DRC2144E0L 实时确认>>
4353 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T DRC2144T0L 实时确认>>
4354 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 35 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 35 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO DRC2114E0L 实时确认>>
4355 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO DRC2143X0L 实时确认>>
4356 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO DRC2114W0L 实时确认>>
4357 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T DRC2114T0L 实时确认>>
4358 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S DRC3114T0L 实时确认>>
4359 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleite 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleite DMMT5551-7-F 实时确认>>
4360 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · H KSA916YTA 实时确认>>
4361 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236AB · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236AB · Her BC817,215 实时确认>>
4362 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte 晶体管 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte ULN2004AD 实时确认>>
4363 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel BC63916_D27Z 实时确认>>
4364 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO PDTD123YT,215 实时确认>>
4365 Omron 传感器 Omron E6A2-CW5C100 P/R 2M 实时确认>>
4366 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste BC546CTA 实时确认>>
4367 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323-3 · Hers BC847BW 实时确认>>
4368 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers BC33725TAR 实时确认>>
4369 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst BC817-25,215 实时确认>>
4370 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 2000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E- 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 2000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E- ZTX601 实时确认>>
4371 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her BC81725MTF 实时确认>>
4372 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 78 ns · Collector-Strom I(C): 23 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 78 ns · Collector-Strom I(C): 23 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle IRG4BC30U 实时确认>>
4373 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): PDTA114ET,215 实时确认>>
4374 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst BCP69,115 实时确认>>
4375 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T DRC2143T0L 实时确认>>
4376 Omron 模块 Omron K34T1 实时确认>>
4377 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17-3 实时确认>>
4378 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17-4 实时确认>>
4379 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-814H 实时确认>>
4380 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-815 实时确认>>
4381 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-8141 实时确认>>
4382 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-817S-TA 实时确认>>
4383 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-824S 实时确认>>
4384 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-826S 实时确认>>
4385 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-814HS 实时确认>>
4386 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-1S 实时确认>>
4387 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-1 实时确认>>
4388 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-8141S 实时确认>>
4389 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He BC807-40,235 实时确认>>
4390 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst BC817-40,235 实时确认>>
4391 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers BC856B,215 实时确认>>
4392 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He BC807,215 实时确认>>
4393 Omron 传感器 Omron E6F-AG5C-C 360 2M 实时确认>>
4394 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523 · Herste BC847AT-7-F 实时确认>>
4395 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hers FMMT620TA 实时确认>>
4396 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): MMBTA28-7-F 实时确认>>
4397 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst PZTA42,115 实时确认>>
4398 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller: PBSS4240T,215 实时确认>>
4399 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers ZXTP2012ZTA 实时确认>>
4400 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 30 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 65 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 30 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 65 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell BFS19,215 实时确认>>

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