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| Logo | 品牌 | 原产地 | 产品类别 | 更多 |
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DELACHAUX登莱秀 | 法国 | 集电器、电缆卷筒 | DELACHAUX供应商 |
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Vahle法勒 | 德国 | 集电器 | Vahle供应商 |
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| 记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
|---|---|---|---|---|
| 4201 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741BTV | 实时确认>> |
| 4202 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2712AR2 | 实时确认>> |
| 4203 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741BSV | 实时确认>> |
| 4204 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741BSDV | 实时确认>> |
| 4205 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N35VM | 实时确认>> |
| 4206 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741B | 实时确认>> |
| 4207 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu | MCT6W | 实时确认>> |
| 4208 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | ISP817CX | 实时确认>> |
| 4209 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | ISP817BX | 实时确认>> |
| 4210 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | HCPL-817-30CE | 实时确认>> |
| 4211 | Abfallzeit: 7 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 7 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | SFH608-5 | 实时确认>> |
| 4212 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-846S | 实时确认>> |
| 4213 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741ASDV | 实时确认>> |
| 4214 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu | FOD852SD | 实时确认>> |
| 4215 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu | FOD8523SD | 实时确认>> |
| 4216 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741ATV | 实时确认>> |
| 4217 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.07 V · Eingangstyp: DC · Gehä 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.07 V · Eingangstyp: DC · Gehä | FOD2743BSDV | 实时确认>> |
| 4218 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817DS | 实时确认>> |
| 4219 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AA4SR2M | 实时确认>> |
| 4220 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817BS | 实时确认>> |
| 4221 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N37SR2VM | 实时确认>> |
| 4222 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung | 4N36M | 实时确认>> |
| 4223 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung | 4N32M | 实时确认>> |
| 4224 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) | 4N25 | 实时确认>> |
| 4225 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | HMHA2801 | 实时确认>> |
| 4226 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817 | 实时确认>> |
| 4227 | Abfallzeit: 110 µs · Anstiegszeit: 8 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannun 晶体管 | Abfallzeit: 110 µs · Anstiegszeit: 8 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannun | MOCD223M | 实时确认>> |
| 4228 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu | MCT6 | 实时确认>> |
| 4229 | Sharp 电阻器 | Sharp | GP1A52LRJ00F | 实时确认>> |
| 4230 | Optek Gabel-Lichtschranke OPB917B, Puffer, Open-Collector mit 10 K Pull-Up-Widerstand Ausgang, Durchsteckmontage, 5 Pin - Herst.-Teile-Nr.: OPB917B | OPTEK | OPB917B | 实时确认>> |
| 4231 | Weird But True! Collector's Set 2: 900 Outrageous Facts [With Poster] - Taschenbuch - Language: eng | NATL GEOGRAPHIC CHILDRENS | 9781426320118 | 实时确认>> |
| 4232 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD814A | 实时确认>> |
| 4233 | SN7417NE4 6-Bit Puffer, Treiber TTL Open Collector Non-Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: SN7417NE4 | Texas Instruments | SN7417NE4 | 实时确认>> |
| 4234 | Ausführung (LEDs): Klar,Nicht gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 800 nm · Erfassungswinkel: 25 ° · Gehäuseart (LEDs): 5 mm · Hersteller: OSRAM · In PCB-Software verfügbar: Ta 晶体管 | Ausführung (LEDs): Klar,Nicht gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 800 nm · Erfassungswinkel: 25 ° · Gehäuseart (LEDs): 5 mm · Hersteller: OSRAM · In PCB-Software verfügbar: Ta | SFH 300 | 实时确认>> |
| 4235 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-817A | 实时确认>> |
| 4236 | Vierfach-NAND-Gatter mit 2 Eingängen, N74F38N, NAND, F, Open Collector 64mA 4,5 ? 5,5 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: N74F38N | NXP | N74F38N | 实时确认>> |
| 4237 | SN7405N 6-Bit Puffer, Treiber TTL Open Collector Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: SN7405N | Texas Instruments | SN7405N | 实时确认>> |
| 4238 | SN74LS07N 6-Bit Puffer, Treiber LS Open Collector Non-Inverting 4.75 to 5.25 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: SN74LS07N | Texas Instruments | SN74LS07N | 实时确认>> |
| 4239 | SN7406DR 6-Bit Puffer, Treiber TTL Open Collector Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN7406DR | Texas Instruments | SN7406DR | 实时确认>> |
| 4240 | SN7407N 6-Bit Puffer, Treiber TTL Open Collector Non-Inverting 4.75 to 5.25 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: SN7407N | Texas Instruments | SN7407N | 实时确认>> |
| 4241 | Texas Instruments 变频器 | Texas Instruments | SN7416N | 实时确认>> |
| 4242 | Texas Instruments 变频器 | Texas Instruments | SN7406N | 实时确认>> |
| 4243 | Texas Instruments 变频器 | Texas Instruments | SN7416N | 实时确认>> |
| 4244 | SN74S05N 6-Bit Puffer, Treiber S Open Collector Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: SN74S05N | Texas Instruments | SN74S05N | 实时确认>> |
| 4245 | Texas Instruments 变频器 | Texas Instruments | SN7406D | 实时确认>> |
| 4246 | N74F07D,602 6-Bit Puffer, Treiber F Open Collector Non-Inverting 4,5 ? 5,5 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: N74F07D,602 | NXP | N74F07D,602 | 实时确认>> |
| 4247 | SN7406D 6-Bit Puffer, Treiber TTL Open Collector Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN7406D | Texas Instruments | SN7406D | 实时确认>> |
| 4248 | SN7406DR 6-Bit Puffer, Treiber TTL Open Collector Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN7406DR | Texas Instruments | SN7406DR | 实时确认>> |
| 4249 | Texas Instruments 变频器 | Texas Instruments | SN74LS05N | 实时确认>> |
| 4250 | SN74LS05D 6-Bit Puffer, Treiber LS Open Collector Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN74LS05D | Texas Instruments | SN74LS05D | 实时确认>> |
| 4251 | Komparator LM393M/NOPB, Open Collector 1.3µs Dual SOIC 8-Pin 3 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: LM393M/NOPB | Texas Instruments | LM393M/NOPB | 实时确认>> |
| 4252 | Komparator AS331KTR-G1, Open Collector 1.3µs SOT-23 5-Pin 2 ? 36 V - Herst.-Teile-Nr.: AS331KTR-G1 | Diodes | AS331KTR-G1 | 实时确认>> |
| 4253 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.4 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.4 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · H | FSBB30CH60C | 实时确认>> |
| 4254 | Optek Gabel-Lichtschranke OPB625, Puffer, Open-Collector mit 10 K Pull-Up-Widerstand Ausgang, Durchsteckmontage, 5 Pin - Herst.-Teile-Nr.: OPB625 | OPTEK | OPB625 | 实时确认>> |
| 4255 | Andromeda, 30 DVDs (Collector's Edition) - DVD, Video - Language: eng | Ascot Elite | 4048317375691 | 实时确认>> |
| 4256 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 54 ns · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 54 ns · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I | IRG4BC20KD-SPBF | 实时确认>> |
| 4257 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.70 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.70 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · | FNB41060 | 实时确认>> |
| 4258 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236AB · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236AB · Her | BC817,215 | 实时确认>> |
| 4259 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126-3 · Hers | KSE340STU | 实时确认>> |
| 4260 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · He | FMB3904 | 实时确认>> |
| 4261 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U( 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U( | BUT11AFTU | 实时确认>> |
| 4262 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Herste | MAX2601ESA+ | 实时确认>> |
| 4263 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Herste | MAX2602ESA+ | 实时确认>> |
| 4264 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss | H11D3SM | 实时确认>> |
| 4265 | Abfallzeit: 1.5 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchla 晶体管 | Abfallzeit: 1.5 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchla | MCT2ESM | 实时确认>> |
| 4266 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlassspa 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlassspa | H11B1SR2M | 实时确认>> |
| 4267 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu | MCT6S | 实时确认>> |
| 4268 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss | H11D3SR2M | 实时确认>> |
| 4269 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss | H11D1SM | 实时确认>> |
| 4270 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.25 V · Durchlassst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.25 V · Durchlassst | MCT5211M | 实时确认>> |
| 4271 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc 晶体管 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc | MOC205R2M | 实时确认>> |
| 4272 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass | H11AV1AM | 实时确认>> |
| 4273 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AG1SR2M | 实时确认>> |
| 4274 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlassspa 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlassspa | H11B1SM | 实时确认>> |
| 4275 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass | H11AV1SM | 实时确认>> |
| 4276 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass | H11AV1SR2M | 实时确认>> |
| 4277 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AA4SM | 实时确认>> |
| 4278 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AA1SM | 实时确认>> |
| 4279 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | CNY 17 F-4 | 实时确认>> |
| 4280 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817D3SD | 实时确认>> |
| 4281 | Ausführung (LEDs): Klar,Nicht gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 40 ° · Gehäuseart (LEDs): 4.57 x 5.84 mm · Hersteller: OSRAM · In PCB-Software ver 晶体管 | Ausführung (LEDs): Klar,Nicht gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 40 ° · Gehäuseart (LEDs): 4.57 x 5.84 mm · Hersteller: OSRAM · In PCB-Software ver | LPT 80 A | 实时确认>> |
| 4282 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N25M | 实时确认>> |
| 4283 | Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Bauform (Widerstand/Kondensator): TO-18 · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 15 ° · Hersteller: KODENSHI AUK · Leuchtmittel-Typ (Ba 晶体管 | Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Bauform (Widerstand/Kondensator): TO-18 · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 15 ° · Hersteller: KODENSHI AUK · Leuchtmittel-Typ (Ba | KST-1KLB(H) | 实时确认>> |
| 4284 | Honeywell Gabel-Lichtschranke HOA-2001, Wechselrichter, Open-Collector mit 10 K Pull-Up-Widerstand Ausgang - Herst.-Teile-Nr.: HOA-2001 | Honeywell | HOA-2001 | 实时确认>> |
| 4285 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 90 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 90 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Herstell | BC547A | 实时确认>> |
| 4286 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · H 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · H | MMBT2907A | 实时确认>> |
| 4287 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- | BCR133 | 实时确认>> |
| 4288 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel | FZT653TA | 实时确认>> |
| 4289 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 80 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 80 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller | RJH60D3DPP-M0#T2 | 实时确认>> |
| 4290 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC | DRC5123J0L | 实时确认>> |
| 4291 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel | BC846,215 | 实时确认>> |
| 4292 | Ausgabetyp: CMOS,MOS,Open-Collector,TTL · Ausgangsstrom (typ.): 20 mA · Betriebsspannung (Bereich): 2 V bis 36 V · Betriebsspannung max.: 36 V · Betriebsspannung min.: 2 V · Betriebstemperatur (max.) (num): +70 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): 0 °C · 仪器仪表 | Ausgabetyp: CMOS,MOS,Open-Collector,TTL · Ausgangsstrom (typ.): 20 mA · Betriebsspannung (Bereich): 2 V bis 36 V · Betriebsspannung max.: 36 V · Betriebsspannung min.: 2 V · Betriebstemperatur (max.) (num): +70 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): 0 °C · | LM393D | 实时确认>> |
| 4293 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 177 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42.5 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 177 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42.5 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 | STGW20H60DF | 实时确认>> |
| 4294 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 750 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 750 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO- | BDW94CFTU | 实时确认>> |
| 4295 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC | HGTG40N60A4 | 实时确认>> |
| 4296 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Herste | BD13516STU | 实时确认>> |
| 4297 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 120 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 8 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 40 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-243AA · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 120 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 8 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 40 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-243AA · Hers | BFQ540,115 | 实时确认>> |
| 4298 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Avalanche · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Avalanche · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT | FMMT415TD | 实时确认>> |
| 4299 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hers | D45C8 | 实时确认>> |
| 4300 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller | FJPF13009H1TU | 实时确认>> |
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