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| Logo | 品牌 | 原产地 | 产品类别 | 更多 |
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DELACHAUX登莱秀 | 法国 | 集电器、电缆卷筒 | DELACHAUX供应商 |
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Vahle法勒 | 德国 | 集电器 | Vahle供应商 |
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| 记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
|---|---|---|---|---|
| 3901 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-ED · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-ED · H | FSB50250UTD | 实时确认>> |
| 3902 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · | FNA41060B2 | 实时确认>> |
| 3903 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 0.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 0.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · | FNB41560 | 实时确认>> |
| 3904 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 820 ns · Collector-Strom I(C): 3.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 950 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herst 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 820 ns · Collector-Strom I(C): 3.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 950 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herst | FSB50660SF | 实时确认>> |
| 3905 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 800 ns · Collector-Strom I(C): 1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1273 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · Her 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 800 ns · Collector-Strom I(C): 1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1273 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · Her | FSB50250 | 实时确认>> |
| 3906 | Honeywell Gabel-Lichtschranke HOA0901-012, Wechselrichter, Open-Collector mit 10 K Pull-Up-Widerstand Ausgang - Herst.-Teile-Nr.: HOA0901-012 | Honeywell | HOA0901-012 | 实时确认>> |
| 3907 | Honeywell Gabel-Lichtschranke HOA 2005 001, Wechselrichter, Open-Collector mit 10 K Pull-Up-Widerstand Ausgang - Herst.-Teile-Nr.: HOA 2005 001 | Honeywell | HOA 2005 001 | 实时确认>> |
| 3908 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel | KSC2383OTA | 实时确认>> |
| 3909 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 6 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT | DRC3123E0L | 实时确认>> |
| 3910 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -300 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -300 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He | KSP94TA | 实时确认>> |
| 3911 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.4 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.8 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.4 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.8 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · He | FSBB15CH60C | 实时确认>> |
| 3912 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst | KSC1008YTA | 实时确认>> |
| 3913 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers | KSC2316YTA | 实时确认>> |
| 3914 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80,80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80,80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | PUMD16,115 | 实时确认>> |
| 3915 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste | BC847W,115 | 实时确认>> |
| 3916 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30,30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30,30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | PUMD15,115 | 实时确认>> |
| 3917 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200,200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstro 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200,200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstro | PUMD6,115 | 实时确认>> |
| 3918 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Her | 2PB709ART,215 | 实时确认>> |
| 3919 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers | BC860B,215 | 实时确认>> |
| 3920 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T | PUMH10,115 | 实时确认>> |
| 3921 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TS 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TS | PUMH4,115 | 实时确认>> |
| 3922 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80,100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80,100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom | PUMD48,115 | 实时确认>> |
| 3923 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers | BC869,115 | 实时确认>> |
| 3924 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her | BC860CW,115 | 实时确认>> |
| 3925 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSS 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSS | PUMH1,115 | 实时确认>> |
| 3926 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel | BC849B,215 | 实时确认>> |
| 3927 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste | BC846BW,115 | 实时确认>> |
| 3928 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H | BC807W,115 | 实时确认>> |
| 3929 | Komparator TS391ILT, Open Collector 0.3µs SOT-23 5-Pin 3 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: TS391ILT | ST Microelectronics | TS391ILT | 实时确认>> |
| 3930 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - Stromspiegel · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter) 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - Stromspiegel · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter) | BCV62B,215 | 实时确认>> |
| 3931 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel | BSV52,215 | 实时确认>> |
| 3932 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Her | BC856BS,115 | 实时确认>> |
| 3933 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 388 ns · Collector-Strom I(C): 231 A · Eingangskapazität: 9 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 258 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 2 · Herste 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 388 ns · Collector-Strom I(C): 231 A · Eingangskapazität: 9 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 258 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 2 · Herste | 22892043 | 实时确认>> |
| 3934 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 630 ns · Collector-Strom I(C): 160 A · Eingangskapazität: 7.1 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 250 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 2 · Hers 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 630 ns · Collector-Strom I(C): 160 A · Eingangskapazität: 7.1 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 250 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 2 · Hers | 22890695 | 实时确认>> |
| 3935 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 700 ns · Collector-Strom I(C): 612 A · Eingangskapazität: 24.04 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 350 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 4 · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 700 ns · Collector-Strom I(C): 612 A · Eingangskapazität: 24.04 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 350 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 4 · He | 22892103 | 实时确认>> |
| 3936 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 250 ns · Collector-Strom I(C): 88 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 70 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-227B · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bau 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 250 ns · Collector-Strom I(C): 88 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 70 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-227B · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bau | IXA60IF1200NA | 实时确认>> |
| 3937 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 550 ns · Collector-Strom I(C): 311 A · Eingangskapazität: 12.02 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 320 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 3 · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 550 ns · Collector-Strom I(C): 311 A · Eingangskapazität: 12.02 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 320 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 3 · He | 22892064 | 实时确认>> |
| 3938 | Panasonic 晶体管 | Panasonic | LT4HT240ACJ | 实时确认>> |
| 3939 | Omron 传感器 | Omron | E6A2-CW5C100 P/R 2M | 实时确认>> |
| 3940 | Broadcom Optokoppler, 10 mA AC/DC Open-Collector Output, 3750 V eff. SMD, DIP 8-Pin - Herst.-Teile-Nr.: HCPL-4701-000E | Broadcom | HCPL-4701-000E | 实时确认>> |
| 3941 | BROADCOM LIMITED HCPL-061N-500E OPTOCOUPLER, OPEN COLLECTOR O/P, 3.75KV | Broadcom | HCPL-061N-500E | 实时确认>> |
| 3942 | Broadcom Optokoppler, 230 mA DC Input Open-Collector Output, 3750 V eff. SMD, DIP 8-Pin - Herst.-Teile-Nr.: HCPL-4701-300E | Broadcom | HCPL-4701-300E | 实时确认>> |
| 3943 | Broadcom Optokoppler, 20 mA DC Input Open-Collector Output, 3750 V eff. SMD, SO 5-Pin - Herst.-Teile-Nr.: HCPL-M611-000E | Broadcom | HCPL-M611-000E | 实时确认>> |
| 3944 | BROADCOM LIMITED HCPL-M600-500E OPTOCOUPLER, OPEN COLLECTOR O/P, 3.75KV | Broadcom | HCPL-M600-500E | 实时确认>> |
| 3945 | BROADCOM LIMITED HCPL-M611-500E OPTOCOUPLER, OPEN COLLECTOR O/P, 3.75KV | Broadcom | HCPL-M611-500E | 实时确认>> |
| 3946 | Omron 传感器 | Omron | E6C2-CWZ5B 1000P/R 2M | 实时确认>> |
| 3947 | IGBT, Collector Emitter Saturation Volta RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRGB4061DPBF. 晶体管 | IGBT, Collector Emitter Saturation Volta RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRGB4061DPBF. | IRGB4061DPBF. | 实时确认>> |
| 3948 | ON Semiconductor 晶体管 | ON Semiconductor | NGTB15N120LWG | 实时确认>> |
| 3949 | Bipolar Transistor, Collector Emitter Vo RoHS konform: Ja Hersteller: STMICROELECTRONICS Typ: 2N5195. 晶体管 | Bipolar Transistor, Collector Emitter Vo RoHS konform: Ja Hersteller: STMICROELECTRONICS Typ: 2N5195. | 2N5195. | 实时确认>> |
| 3950 | SINGLE IGBT, 1.2KV, 12A, DC Collector Cu RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRGB5B120KDPBF 晶体管 | SINGLE IGBT, 1.2KV, 12A, DC Collector Cu RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRGB5B120KDPBF | IRGB5B120KDPBF | 实时确认>> |
| 3951 | Omron 传感器 | Omron | E6B2CWZ6C200PR2M | 实时确认>> |
| 3952 | Omron 传感器 | Omron | E6B2CWZ6C500PR2M | 实时确认>> |
| 3953 | Omron 传感器 | Omron | E6B2-CWZ6C 1000P/R 2M | 实时确认>> |
| 3954 | OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION K8DT-LS1TD NIVEAUREGLER LEITF., OPEN-COLLECTOR-AUSG | Omron | K8DT-LS1TD | 实时确认>> |
| 3955 | Omron 传感器 | Omron | E6B2-CWZ6C 1000P/R 0.5M | 实时确认>> |
| 3956 | Omron 传感器 | Omron | E6A2-CW5C 100P/R 0.5M | 实时确认>> |
| 3957 | Omron 传感器 | Omron | E6B2-CWZ6C 360P/R 0.5M | 实时确认>> |
| 3958 | Omron 传感器 | Omron | E6A2-CS5C 100P/R 0.5M | 实时确认>> |
| 3959 | Omron 传感器 | Omron | E6B2-CWZ6C-100P/R 5M | 实时确认>> |
| 3960 | OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION K8DT-LS1TA NIVEAUREGLER LEITF., OPEN-COLLECTOR-AUSG | Omron | K8DT-LS1TA | 实时确认>> |
| 3961 | Omron 传感器 | Omron | E6B2CWZ6C100PR2M | 实时确认>> |
| 3962 | Omron 传感器 | Omron | E6C2-CWZ6C 100P/R 2M | 实时确认>> |
| 3963 | Omron 传感器 | Omron | E6F-AG5C-C 256 2M | 实时确认>> |
| 3964 | Omron 传感器 | Omron | E6CP-AG5C-C 256 2M | 实时确认>> |
| 3965 | Omron 传感器 | Omron | E6B2-CWZ6C 2000P/R 2M | 实时确认>> |
| 3966 | Omron 传感器 | Omron | E6F-AG5C-C 5M | 实时确认>> |
| 3967 | Omron 传感器 | Omron | E6F-AB3C-C 360 5M | 实时确认>> |
| 3968 | Collector Without Walls: Norton Simon and His Hunt for the Best - Hardcover, Softcover - Language: eng | Yale University Press | 9780300166729 | 实时确认>> |
| 3969 | Panasonic 晶体管 | Panasonic | LT4HT24J | 实时确认>> |
| 3970 | SN74BCT760DW 8-Bit Puffer, Leitungstreiber BCT 3-State, Open Collector Non-Inverting 4,5 ? 5,5 V 20-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN74BCT760DW | Texas Instruments | SN74BCT760DW | 实时确认>> |
| 3971 | Komparator LM211D, Open Collector/Emitter 0.165µs SOIC 8-Pin 5 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: LM211D | Texas Instruments | LM211D | 实时确认>> |
| 3972 | Komparator LM311N/NOPB, Open Collector 0.2µs MDIP 8-Pin 9 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: LM311N/NOPB | Texas Instruments | LM311N/NOPB | 实时确认>> |
| 3973 | Komparator AP331AWRG-7, Open Collector 1.3µs SOT-25R 5-Pin 2 ? 36 V - Herst.-Teile-Nr.: AP331AWRG-7 | Diodes | AP331AWRG-7 | 实时确认>> |
| 3974 | Analog Devices 传感器 | Analog Devices | TMP03FT9Z | 实时确认>> |
| 3975 | Liquid Collector, 1/2 PT - Herst.-Teile-Nr.: HEP500-04 | SMC | HEP500-04 | 实时确认>> |
| 3976 | Komparator LMV331IDCKR, Open Collector SC-70 5-Pin 2,7 ? 5,5 V - Herst.-Teile-Nr.: LMV331IDCKR | Texas Instruments | LMV331IDCKR | 实时确认>> |
| 3977 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD814A3SD | 实时确认>> |
| 3978 | Abfallzeit: 2.2 µs · Anstiegszeit: 1.6 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann 晶体管 | Abfallzeit: 2.2 µs · Anstiegszeit: 1.6 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann | MOCD213R2M | 实时确认>> |
| 3979 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817CSD | 实时确认>> |
| 3980 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N32SM | 实时确认>> |
| 3981 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann 晶体管 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann | MOCD208M | 实时确认>> |
| 3982 | Abfallzeit: 2.2 µs · Anstiegszeit: 1.6 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann 晶体管 | Abfallzeit: 2.2 µs · Anstiegszeit: 1.6 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann | MOCD213M | 实时确认>> |
| 3983 | Red Lion 传感器 | Red Lion | ZCG0100C | 实时确认>> |
| 3984 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 23 A · Eingangskapazität: 720 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: Fa 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 23 A · Eingangskapazität: 720 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: Fa | SGP23N60UFTU | 实时确认>> |
| 3985 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.6 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-JA · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.6 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-JA · He | FSBF5CH60B | 实时确认>> |
| 3986 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · He | FNA40560 | 实时确认>> |
| 3987 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 430 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 32 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 430 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 32 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller | RJH60D2DPP-M0#T2 | 实时确认>> |
| 3988 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 240 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 240 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle | IRG4BC20FD | 实时确认>> |
| 3989 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 76 A · Eingangskapazität: 2113 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 76 A · Eingangskapazität: 2113 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell | IRGP4069DPBF | 实时确认>> |
| 3990 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISO247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISO247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen | IXYJ20N120C3D1 | 实时确认>> |
| 3991 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 220 ns · Collector-Strom I(C): 120 A · Eingangskapazität: 10800 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 220 ns · Collector-Strom I(C): 120 A · Eingangskapazität: 10800 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 | STGW80V60DF | 实时确认>> |
| 3992 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 64 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 64 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme | IXYH40N120C3D1 | 实时确认>> |
| 3993 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller | RJH60A83RDPN-E0#T2 | 实时确认>> |
| 3994 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I | IXGH48N60C3D1 | 实时确认>> |
| 3995 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · H | STGWT30V60F | 实时确认>> |
| 3996 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 70 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 70 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme | IXYH40N120C3 | 实时确认>> |
| 3997 | SN74AS760DW 8-Bit Puffer, Leitungstreiber AS 3-State, Open Collector Non-Inverting 4,5 ? 5,5 V 20-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN74AS760DW | Texas Instruments | SN74AS760DW | 实时确认>> |
| 3998 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst | 2N3904TA | 实时确认>> |
| 3999 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | MPSA29 | 实时确认>> |
| 4000 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | BCR191 | 实时确认>> |
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