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3801 Komparator AS393MTR-G1, Open Collector 1.3µs Dual SOIC 8-Pin 2 ? 36 V - Herst.-Teile-Nr.: AS393MTR-G1 Diodes AS393MTR-G1 实时确认>>
3802 Komparator AS393AMTR-G1, Open Collector 1.3µs Dual SOIC 8-Pin 2 ? 36 V - Herst.-Teile-Nr.: AS393AMTR-G1 Diodes AS393AMTR-G1 实时确认>>
3803 Honeywell Gabel-Lichtschranke HOA 2003-001, Puffer, Open-Collector mit 10 K Pull-Up-Widerstand Ausgang - Herst.-Teile-Nr.: HOA 2003-001 Honeywell HOA 2003-001 实时确认>>
3804 Vierfach-NOR-Gatter mit 2 Eingängen, SN74LS33D, NOR, 74LS, Open Collector 24mA 4,75 ? 5,25 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN74LS33D Texas Instruments SN74LS33D 实时确认>>
3805 Vierfach-NAND-Gatter mit 2 Eingängen, SN74F38DR, NAND, F, Open Collector 64mA 4,5 ? 5,5 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN74F38DR Texas Instruments SN74F38DR 实时确认>>
3806 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 730 ns · Collector-Strom I(C): 46 A · Eingangskapazität: 2600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO247-3-PG · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 730 ns · Collector-Strom I(C): 46 A · Eingangskapazität: 2600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO247-3-PG · Herstelle SGW25N120 实时确认>>
3807 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 270 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 3500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 270 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 3500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXGH32N170 实时确认>>
3808 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 630 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 6040 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 160 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUSi5-Pak · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel ( 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 630 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 6040 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 160 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUSi5-Pak · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel ( IXEL40N400 实时确认>>
3809 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 198 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 7780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 69 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-274AA · Herstel 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 198 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 7780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 69 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-274AA · Herstel AUIRGPS4067D1 实时确认>>
3810 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60F4DPK-00#T0 实时确认>>
3811 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 192 ns · Collector-Strom I(C): 164 A · Eingangskapazität: 4060 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 29 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS264 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauele 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 192 ns · Collector-Strom I(C): 164 A · Eingangskapazität: 4060 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 29 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS264 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauele IXYB82N120C3H1 实时确认>>
3812 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller RJH60D7BDPQ-E0#T2 实时确认>>
3813 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3000 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3000 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60D7DPK-00#T0 实时确认>>
3814 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3000 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3000 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller RJH60D7DPQ-E0#T2 实时确认>>
3815 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1117 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 772 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-EA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1117 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 772 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-EA · H FPAM50LH60 实时确认>>
3816 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.32 µs · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.69 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.32 µs · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.69 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · FSAM50SM60A 实时确认>>
3817 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 450 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 33 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 450 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 33 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60V2BDPP-M0#T2 实时确认>>
3818 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Hers 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Hers FSB50550US 实时确认>>
3819 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 360 ns · Collector-Strom I(C): 2.6 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 620 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BA · He 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 360 ns · Collector-Strom I(C): 2.6 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 620 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BA · He FSB52006S 实时确认>>
3820 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H FSB50250US 实时确认>>
3821 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · FSAM20SH60A 实时确认>>
3822 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 300 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 300 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60V1BDPP-M0#T2 实时确认>>
3823 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: RJH60M1DPE-00#J3 实时确认>>
3824 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.42 µs · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.76 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.42 µs · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.76 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · FSAM75SM60A 实时确认>>
3825 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 22 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hers 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 22 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hers HGTG5N120BND 实时确认>>
3826 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60M3DPP-M0#T2 实时确认>>
3827 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstell 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstell SGP10N60RUFDTU 实时确认>>
3828 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 230 ns · Collector-Strom I(C): 20.3 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB FULLPAK · Hersteller: Infineon Technologies 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 230 ns · Collector-Strom I(C): 20.3 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB FULLPAK · Hersteller: Infineon Technologies IRG4IBC30FD 实时确认>>
3829 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60M1DPP-M0#T2 实时确认>>
3830 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 540 ns · Collector-Strom I(C): 19 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 27 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 540 ns · Collector-Strom I(C): 19 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 27 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF IRG4BC20SPBF 实时确认>>
3831 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 450 ns · Collector-Strom I(C): 4 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Her 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 450 ns · Collector-Strom I(C): 4 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Her FSB50825US 实时确认>>
3832 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 32 A · Eingangskapazität: 2280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 100 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUS i4-PAC · Hers 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 32 A · Eingangskapazität: 2280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 100 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUS i4-PAC · Hers IXLF19N250A 实时确认>>
3833 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue RJP60D0DPP-M0#T2 实时确认>>
3834 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.6 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.27 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.6 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.27 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · H FSAM10SH60A 实时确认>>
3835 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 4.8 µs · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 4.8 µs · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC ISL9V3040P3 实时确认>>
3836 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH1CV6DPK-00#T0 实时确认>>
3837 ON Semiconductor 晶体管 ON Semiconductor NGTB20N120IHLWG 实时确认>>
3838 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.73 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.34 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.73 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.34 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · FSAM15SH60A 实时确认>>
3839 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 140 A · Eingangskapazität: 4440 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstel 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 140 A · Eingangskapazität: 4440 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstel IRGP4066D-EPBF 实时确认>>
3840 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 3600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 3600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell IRG4PH50UPBF 实时确认>>
3841 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.85 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.39 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.85 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.39 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · FSAM30SH60A 实时确认>>
3842 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 10.8 µs · Collector-Strom I(C): 46 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): TO-263AB · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 10.8 µs · Collector-Strom I(C): 46 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): TO-263AB · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC ISL9V5036S3ST 实时确认>>
3843 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · FNB41560B2 实时确认>>
3844 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 36 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 36 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen IXYH20N120C3D1 实时确认>>
3845 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1152 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1152 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BA · H FSB50450S 实时确认>>
3846 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 210 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 2200 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 210 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 2200 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IRGP30B120KD-E 实时确认>>
3847 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.9 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.68 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.9 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.68 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · H FSBB30CH60F 实时确认>>
3848 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 100 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1080 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 100 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1080 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle RJP60V0DPM-00#T1 实时确认>>
3849 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem RJP60D0DPK-00#T0 实时确认>>
3850 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller RJP60F0DPM-00#T1 实时确认>>
3851 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem RJP6085DPK-00#T0 实时确认>>
3852 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue RJP6085DPN-00#T2 实时确认>>
3853 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauel 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauel RJP60D0DPE-00#J3 实时确认>>
3854 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller RJP60F4DPM-00#T1 实时确认>>
3855 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 176 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 9850 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baue 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 176 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 9850 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baue IXYX120N120C3 实时确认>>
3856 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60F3DPK-00#T0 实时确认>>
3857 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 430 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GA · He 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 430 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GA · He FPDB30PH60 实时确认>>
3858 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstell 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstell IRGP4063-EPBF 实时确认>>
3859 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60F0DPK-00#T0 实时确认>>
3860 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme IXYH50N120C3D1 实时确认>>
3861 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller RJH60F3DPQ-A0#T0 实时确认>>
3862 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen IXYH20N120C3 实时确认>>
3863 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CB · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CB · FSBB20CH60CL 实时确认>>
3864 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 76 ns · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangskapazität: 205 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 12 ns · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kürze 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 76 ns · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangskapazität: 205 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 12 ns · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kürze STGB6NC60HDT4 实时确认>>
3865 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller IRG4BC20UD 实时确认>>
3866 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.55 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-JA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.55 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-JA · FSBF15CH60BT 实时确认>>
3867 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1152 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1152 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · H FSB50450 实时确认>>
3868 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 4.8 µs · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · Ko 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 4.8 µs · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · Ko ISL9V3040D3ST 实时确认>>
3869 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 80 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 80 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: RJH60D3DPE-00#J3 实时确认>>
3870 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 86 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 86 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller IRG4BC20U 实时确认>>
3871 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 10.8 µs · Collector-Strom I(C): 51 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 10.8 µs · Collector-Strom I(C): 51 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · ISL9V5045S3ST 实时确认>>
3872 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 110 ns · Collector-Strom I(C): 33 A · Eingangskapazität: 1070 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 14 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 110 ns · Collector-Strom I(C): 33 A · Eingangskapazität: 1070 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 14 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell IRG7PH30K10PBF 实时确认>>
3873 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle IRG4BC20F 实时确认>>
3874 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 149 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 149 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · STGP20V60F 实时确认>>
3875 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 127 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangskapazität: 1750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 127 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangskapazität: 1750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXGH30N120B3D1 实时确认>>
3876 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 11 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-262 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 11 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-262 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I IRG4BH20K-LPBF 实时确认>>
3877 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I IXGH48N60C3 实时确认>>
3878 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: IXGX72N60A3H1 实时确认>>
3879 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 365 ns · Collector-Strom I(C): 125 A · Eingangskapazität: 4340 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 365 ns · Collector-Strom I(C): 125 A · Eingangskapazität: 4340 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller IXGX55N120A3H1 实时确认>>
3880 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle RJH60D6DPM-00#T1 实时确认>>
3881 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 14 A · Eingangskapazität: 410 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 14 A · Eingangskapazität: 410 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle IRG4BC15UD 实时确认>>
3882 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3000 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3000 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60D7ADPK-00#T0 实时确认>>
3883 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 1500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 36 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 1500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 36 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXGH16N170A 实时确认>>
3884 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 100 A · Eingangskapazität: 2900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstel 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 100 A · Eingangskapazität: 2900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstel IRGP4063D1PBF 实时确认>>
3885 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 100 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 100 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem IXYH50N120C3 实时确认>>
3886 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 31 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 31 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell IRG4BC30F 实时确认>>
3887 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 142 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 5412 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 40 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 142 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 5412 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 40 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · STGW40H65FB 实时确认>>
3888 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: RJH60A83RDPE-00#J3 实时确认>>
3889 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 430 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 550 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-HA · He 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 430 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 550 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-HA · He FPDB50PH60 实时确认>>
3890 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 4550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): MAX247 · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kü 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 4550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): MAX247 · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kü STGY40NC60VD 实时确认>>
3891 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü IRGB14C40L 实时确认>>
3892 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.86 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.49 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.86 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.49 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · FSBB30CH60 实时确认>>
3893 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.7 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · 电机控制器 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.7 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · FNC42060F2 实时确认>>
3894 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · 电机控制器 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · FNA41560 实时确认>>
3895 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 500 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GC · He 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 500 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GC · He FPDB40PH60B 实时确认>>
3896 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.70 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.65 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H 电机控制器 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.70 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.65 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H FNB40560 实时确认>>
3897 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 820 ns · Collector-Strom I(C): 3.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 950 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herst 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 820 ns · Collector-Strom I(C): 3.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 950 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herst FSB50660SFT 实时确认>>
3898 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herstel 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herstel FSB50550AS 实时确认>>
3899 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1250 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1250 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H FSB50450US 实时确认>>
3900 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H 电机控制器 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H FNA41060 实时确认>>

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